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1SS379

GeneralPurposeRectifierApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

1SS379

SiliconEpitaxialPlanarDiode

Features ●Lowforwardvoltage:VF=1.0V(Typ.) ●Lowreversecurrent:IR=0.1nA(Typ.) ●Smalltotalcapacitance:CT=3.0pF(Typ.)

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

1SS379

DIODE(GENERALPURPOSERECTIFIERAPPLICATIONS)

GeneralPurposeRectifierApplications ●Smallpackage:SC-59 ●Lowforwardvoltage:VF=1.0V(typ.) ●Lowreversecurrent:IR=0.1nA(typ.) ●Smalltotalcapacitance:CT=3.0pF(typ.)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
TOSHIBA
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Toshiba Semiconductor and Stor
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更多1SS379,LF(B供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-23 15:00:00