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1SS387	文件：93.9 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTFASTSWITCHINGDIODE SiliconEpitaxialPlanarDieConstruction FastSwitchingSpeed SurfaceMountPackageIdeallySuitedfor AutomaticInsertion ForGeneralPurposeSwitchingApplications PlasticMaterial–ULRecognitionFlammability Classification94V-0	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星電子股份有限公司	WTE
1SS387	文件：761.65 Kbytes Page：4 Pages	HighSpeedSwitchingDiode	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司	JIANGSU
1SS387	文件：216.81 Kbytes Page：4 Pages	TOSHIBADiodeSiliconEpitaxialPlanarType	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
1SS387	文件：269.99 Kbytes Page：3 Pages	HighSpeedSwitchingDiode	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
1SS387	文件：133.45 Kbytes Page：2 Pages	HighSpeedSWITCHINGDiode	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳實(shí)業(yè)深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司	WINNERJOIN
1SS387	文件：361.95 Kbytes Page：3 Pages	HighSpeedSwitchingDiode	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 深圳辰達(dá)半導(dǎo)體深圳辰達(dá)半導(dǎo)體有限公司	CHENDA
1SS387	文件：1.87984 Mbytes Page：3 Pages	Lowforwardvoltage	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時(shí)科廣東時(shí)科微實(shí)業(yè)有限公司	SKTECHNOLGY
1SS387	文件：216.81 Kbytes Page：4 Pages	TOSHIBADiodeSiliconEpitaxialPlanarType SwitchingDiodesSiliconEpitaxialPlanar Features (1)Smallpackage (2)Lowforwardvoltage:VF(3)=0.98V(typ.) (3)Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.) (4)Smalltotalcapacitance:Ct=0.5pF(typ.) Applications ?Ultra-High-SpeedSwitching	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
1SS387	文件：277.15 Kbytes Page：2 Pages	HighSpeedSwitchingDiodes HighSpeedSwitchingDiodes Features Lowforwardvoltage. Fastreverserecoverytime. Smalltotalcapacitance. Applications ?High-speedswitchinginsurfacemountedcircuits. ?	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG
1SS387	文件：125.93 Kbytes Page：2 Pages	DIODE(ULTRAHIGHSPEEDSWITCHINGAPPLICATION) UltraHighSpeedSwitchingApplication Compact2-pinpackage–idealforhigh-densitymounting Lowforwardvoltage:VF(3)=0.98V(typ.) Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.) Smalltotalcapacitance:CT=0.5pF(typ.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
1SS387	文件：399.4 Kbytes Page：3 Pages	85VoltsSwitchingDiode 85VoltsSwitchingDiode Features ?Highspeedswitchingdiode ?Surfacemountpackage ?Forgeneralpurposeswitchingapplications ?Marking:G ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoistureSensitivityLevel1	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
1SS387	文件：169.07 Kbytes Page：3 Pages	HighSpeedSwitchingDiode HighSpeedSwitchingDiode FEATURES Lowforwardvoltage. Fastreverserecoverytime. Smalltotalcapacitance. APPLICATIONS High-speedswitchinginsurfacemountedcircuits.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世紀(jì)微電子常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
1SS387	文件：32.369 Kbytes Page：1 Pages	ULTRAHIGHSPEEDSWITCHINGAPPLICATION ULTRAHIGHSPEEDSWITCHINGAPPLICATION Features SmallPackage Lowforwardvoltage:VF(3)=0.98V(TYP.) FastForwardVoltage:trr=1.6ns(TYP.) SmallTotalCapacitance:CT=0.5pF(TYP.)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
1SS387	文件：97.69 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateDiodes	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
1SS387	文件：205.92 Kbytes Page：4 Pages	UltraHighSpeedSwitchingApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
1SS387	文件：376.4 Kbytes Page：3 Pages	HighSpeedSwitchingDiodes SWITCHINGDIODE100mAMPERES80VOLTS Features: ExtremelyHighSwitchingSpeed. LowReverseLeakageCurrent. HighReliability. SmallOutlineSurfaceMountSOD-523Package. Applications: *HighSpeedSwitching.	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
1SS387CT	文件：216.81 Kbytes Page：4 Pages	TOSHIBADiodeSiliconEpitaxialPlanarType SwitchingDiodesSiliconEpitaxialPlanar Features (1)Smallpackage (2)Lowforwardvoltage:VF(3)=0.98V(typ.) (3)Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.) (4)Smalltotalcapacitance:Ct=0.5pF(typ.) Applications ?Ultra-High-SpeedSwitching	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
1SS387PT	文件：72.58 Kbytes Page：2 Pages	SWITCHINGDIODEVOLTAGE85VoltsCURRENT0.1Ampere SURFACEMOUNTSWITCHINGDIODE VOLTAGE85VoltsCURRENT0.1Ampere FEATURE Smallsurfacemountingtype.(SC-79/SOD-523) LowVFandlowIR Highreliability APPLICATION LowbarrierdiodefordetectorsuptoGHzfrequencies CONSTRUCTION *Siliconepitaxial	CHENMKOchenmko 力勤股份有限公司	CHENMKO
1SS387WT	文件：235.1 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateDiodes FEATURES Smallsurfacemountingtype Highspeed Highreliabilitywithhighsurgecurrenthandingcapability	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
1SS387WT-CAR	文件：275.49 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateDiodes FEATURES Smallsurfacemountingtype Highspeed Highreliabilitywithhighsurgecurrenthandingcapability -CARforautomotiveandotherapplicationsrequiringunique siteandcontrolchangerequirements;AEC-Q101qualified andPPAPcapable	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
1SS387(TL3,F,D)
功能描述：
整流器 High Speed 0.98V VF 85Vrm 80Vr 200mA
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
產(chǎn)品：
Standard Recovery Rectifiers
反向電壓：
100 V
恢復(fù)時(shí)間：
1.2 us
正向連續(xù)電流：
2 A
最大浪涌電流：
35 A 反向電流
IR：
5 uA
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
DO-221AC
封裝：
Reel

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市吉銀科技有限公司	1SS387(TL3.F.T)	TOSHIBA/東芝	1535+		8000		詢價(jià)
深圳市熠燦電子科技有限公司	1SS387(TL3.F.T)	TOSHIBA/東芝	23+		8000	全新原裝，歡迎來(lái)電咨詢	詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	1SS387(TPH3	TOSHIBA	2017+	NA	28562	只做原裝正品假一賠十!	詢價(jià)
艾睿國(guó)際（香港）有限公司	1SS387(TPH3	TOSHIBA/東芝	2021+	SOD-523	100500	一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單到貨	詢價(jià)
深圳市航潤(rùn)創(chuàng)能電子集團(tuán)有限公司	1SS387(TPH3	TOSHIBA/東芝	21+	SOT523	1724	原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價(jià)
深圳市珩瑞科技有限公司	1SS387(TPH3	TOSHIBA/東芝	21+	SOT523	6000	原裝正品	詢價(jià)
深圳市國(guó)宇半導(dǎo)體科技有限公司	1SS387(TPH3	TOSHIBA/東芝	23+	SOT523	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	1SS387(TPH3	TOSHIBA/東芝	23+	ESC2	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市勝彬電子有限公司	1SS387(TPH3	TOSHIBA/東芝	22+	SOD-523	8000	原裝正品支持實(shí)單	詢價(jià)
深圳市賽美科科技有限公司	1SS387(TPH3	TOSHIBA		SOT523	53650	一級(jí)代理原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨	詢價(jià)

更多1SS387(TL3,F,D)供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-16 16:00:00

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