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1SS413CT

Schottky Barrier Diode Silicon Epitaxial

Features (1)Lowforwardvoltage:VF(3)=0.50V(typ.) (2)Lowreversecurrent:IR=0.5μA(max) (3)Smalltotalcapacitance:Ct=3.9pF(typ.) Applications ?High-SpeedSwitching

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

1SS413CT,L3F

Package：SOD-882；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE SCHOTTKY 20V 50MA SOD882

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS413

SILICONEPITAXIALSCHOTTKYBARRIERDIODE

SILICONEPITAXIALSCHOTTKYBARRIERDIODE forhighspeedswitchingapplication

SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD.

先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司

1SS413

HighSpeedSwitchingApplication

SchottkyBarrierDiodeSiliconEpitaxial Applications ?High-SpeedSwitching

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

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更多1SS413CT供應(yīng)商 更新時間2025-1-24 14:57:00

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