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20ETS08FPPBF

Input Rectifier Diode, 20 A

DESCRIPTION/FEATURES The20ETS..FPPbFrectifierHighVoltageSerieshasbeenoptimizedforverylowforwardvoltagedrop,withmoderateleakage.Theglasspassivationtechnologyusedhasreliableoperationupto150°Cjunctiontemperature. Typicalapplicationsareininputrectificationandthe

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

20ETS08PBF

HighVoltageInputRectifierDiode,20A

DESCRIPTION TheVS-20ETS..PbF,VS-20ATS..PbFrectifierhighvoltageserieshasbeenoptimizedforverylowforwardvoltagedrop,withmoderateleakage.Theglasspassivationtechnologyusedhasreliableoperationupto150°Cjunctiontemperature. FEATURES ?Designedandqualifiedaccordingto

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20ETS08S

InputRectifierDiode

FEATURES ·Lowforwardvoltagedrop ·Highfrequencyoperation APPLICATIONS ·InternationalRectifierSwitches ·OutputRectifiers

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

20ETS08S

INPUTRECTIFIERDIODE

VF

IRF

International Rectifier

20ETS08SPBF

INPUTRECTIFIERDIODE

IRF

International Rectifier

20ETS08SPBF

InputRectifierDiode,20A

DESCRIPTION TheVS-20ETS..PbF,VS-20ATS..PbFrectifierhighvoltageserieshasbeenoptimizedforverylowforwardvoltagedrop,withmoderateleakage.Theglasspassivationtechnologyusedhasreliableoperationupto150°Cjunctiontemperature. FEATURES ?Designedandqualifiedaccordingto

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20ETS08STRL

INPUTRECTIFIERDIODE

VF

IRF

International Rectifier

20ETS08STRLPBF

InputRectifierDiode,20A

DESCRIPTION TheVS-20ETS..PbF,VS-20ATS..PbFrectifierhighvoltageserieshasbeenoptimizedforverylowforwardvoltagedrop,withmoderateleakage.Theglasspassivationtechnologyusedhasreliableoperationupto150°Cjunctiontemperature. FEATURES ?Designedandqualifiedaccordingto

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20ETS08STRR

INPUTRECTIFIERDIODE

VF

IRF

International Rectifier

20ETS08STRRPBF

InputRectifierDiode,20A

DESCRIPTION TheVS-20ETS..PbF,VS-20ATS..PbFrectifierhighvoltageserieshasbeenoptimizedforverylowforwardvoltagedrop,withmoderateleakage.Theglasspassivationtechnologyusedhasreliableoperationupto150°Cjunctiontemperature. FEATURES ?Designedandqualifiedaccordingto

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VS-20ETS08FPPBF

HighVoltage,InputRectifierDiode,20A

FEATURES ?Verylowforwardvoltagedrop ?150°Cmax.operatingjunctiontemperature ?Glasspassivatedpelletchipjunction ?Designedandqualifiedaccordingto JEDEC?-JESD47 ?Fullyisolatedpackage(VINS=2500VRMS) ?ULE78996approved ?Materialcategorization:fordefinitionsof

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VS-20ETS08FPPbF

HighVoltage,InputRectifierDiode,20A

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VS-20ETS08PbF

HighVoltage,InputRectifierDiode,20A

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VS-20ETS08SPBF

HighVoltageSurfaceMountInputRectifierDiode,20A

FEATURES ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C ?Glasspassivatedpelletchipjunction ?Designedandqualifiedaccordingto JEDEC?-JESD47 ?Materialcategorization:? fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?Inputrectifi

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VS-20ETS08SPBF

HighVoltageSurfaceMountInputRectifierDiode,20A

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VS-20ETS08STRLPbF

HighVoltageSurfaceMountInputRectifierDiode,20A

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VS-20ETS08STRRPbF

HighVoltageSurfaceMountInputRectifierDiode,20A

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    20ETS08FPPBF

  • 功能描述:

    DIODE STD REC 800V 20A TO220AC

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器

  • 系列:

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    100

  • 二極管類型:

    標(biāo)準(zhǔn) 電壓

  • -(Vr)(最大):

    50V 電流 -

  • 平均整流(Io):

    6A 電壓 - 在 If

  • 時為正向(Vf)(最大):

    1.4V @ 6A

  • 速度:

    快速恢復(fù) = 200mA(Io)

  • 反向恢復(fù)時間(trr):

    300ns 電流 - 在 Vr

  • 時反向漏電:

    15µA @ 50V 電容@ Vr,

  • F:

    -

  • 安裝類型:

    底座,接線柱安裝

  • 封裝/外殼:

    DO-203AA,DO-4,接線柱

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    DO-203AA

  • 包裝:

    散裝

  • 其它名稱:

    *1N3879

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
24+
TO220
58000
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)!
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VIS
24+
500
詢價
VishayPCS
859
全新原裝 貨期兩周
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VISHAY
18+
TO-220
85600
保證進(jìn)口原裝可開17%增值稅發(fā)票
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Vishay PCS
2022+
855
全新原裝 貨期兩周
詢價
VIS
22+
NA
30000
100%全新原裝 假一賠十
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IR
22+
6000
終端可免費(fèi)供樣,支持BOM配單
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IR
23+
8000
只做原裝現(xiàn)貨
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IR
23+
7000
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IR
12+
TO-263
15000
全新原裝,絕對正品,公司現(xiàn)貨供應(yīng)。
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更多20ETS08FPPBF供應(yīng)商 更新時間2025-1-10 17:17:00