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20ETS08S	文件：279.91 Kbytes Page：2 Pages	InputRectifierDiode FEATURES ·Lowforwardvoltagedrop ·Highfrequencyoperation APPLICATIONS ·InternationalRectifierSwitches ·OutputRectifiers	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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20ETS08STRRPBF	文件：170.06 Kbytes Page：7 Pages	InputRectifierDiode,20A DESCRIPTION TheVS-20ETS..PbF,VS-20ATS..PbFrectifierhighvoltageserieshasbeenoptimizedforverylowforwardvoltagedrop,withmoderateleakage.Theglasspassivationtechnologyusedhasreliableoperationupto150°Cjunctiontemperature. FEATURES ?Designedandqualifiedaccordingto	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VS-20ETS08FPPBF	文件：122.15 Kbytes Page：7 Pages	HighVoltage,InputRectifierDiode,20A FEATURES ?Verylowforwardvoltagedrop ?150°Cmax.operatingjunctiontemperature ?Glasspassivatedpelletchipjunction ?Designedandqualifiedaccordingto JEDEC?-JESD47 ?Fullyisolatedpackage(VINS=2500VRMS) ?ULE78996approved ?Materialcategorization:fordefinitionsof	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VS-20ETS08FPPbF	文件：147.02 Kbytes Page：7 Pages	HighVoltage,InputRectifierDiode,20A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VS-20ETS08PbF	文件：226.27 Kbytes Page：8 Pages	HighVoltage,InputRectifierDiode,20A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VS-20ETS08SPBF	文件：144.33 Kbytes Page：7 Pages	HighVoltageSurfaceMountInputRectifierDiode,20A FEATURES ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C ?Glasspassivatedpelletchipjunction ?Designedandqualifiedaccordingto JEDEC?-JESD47 ?Materialcategorization:? fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?Inputrectifi	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VS-20ETS08SPBF	文件：170.88 Kbytes Page：7 Pages	HighVoltageSurfaceMountInputRectifierDiode,20A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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