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20J321

Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

GT20J321

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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SiliconNChannelIGBTHighPowerSwitchingApplications

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HighPowerSwitchingApplicationsFastSwitchingApplications

HighPowerSwitchingApplications FastSwitchingApplications ?Fourth-generationIGBT ?Enhancementmodetype ?Fastswitching(FS):Operatingfrequencyupto50kHz(reference) Highspeed:tf=0.04μs(typ.) Lowswitchingloss:Eon=0.40mJ(typ.)

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供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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150000
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TOSHIBA
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TO-220
3000
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TOSHIBA
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TOSHIBA/東芝
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TO-220F
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TOSHIBA/東芝
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TO-220F
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TOSHIBA/東芝
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只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
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詢價(jià)
更多20J321供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-27 11:03:00