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2312-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
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2312T	文件：761.47 Kbytes Page：2 Pages	PhotoelectronicSmokedetectorwithElectronicHeatSensing	SYSTEMSENSOR Systemsensor advanced ideas.	SYSTEMSENSOR
AM2312	文件：464.65 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET20VN-CHANNELENHANCEMENTMODE DESCRIPTION TheAM2312isavailableinSOT-23Spackage. FEATURES ?VDS=20V RDS(ON),VGS@4.5V,IDS@5.0A=41mΩ RDS(ON),VGS@2.5V,IDS@4.5A=47mΩ ?Advancedtrenchprocesstechnology ?HighDensityCellDesignForUltraLowOn-Resistance ?Capableof2.5Vgatedrive ?Loweron-resistanc	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技	AITSEMI
AM2312N	文件：317.05 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel20-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AP2312GN	文件：68.94 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
APM2312	文件：151.79 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features ?16V/5A,RDS(ON)=35m?(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=45m?(typ.)@VGS=2.5V RDS(ON)=60m?(typ.)@VGS=1.8V ?SuperHighDenseCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) ?ReliableandRugged ?SOT-23Package Applications ?PowerManagementinNotebookComput	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂達(dá)電子茂達(dá)電子股份有限公司	ANPEC
APM2312A	文件：151.79 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features ?16V/5A,RDS(ON)=35m?(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=45m?(typ.)@VGS=2.5V RDS(ON)=60m?(typ.)@VGS=1.8V ?SuperHighDenseCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) ?ReliableandRugged ?SOT-23Package Applications ?PowerManagementinNotebookComput	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂達(dá)電子茂達(dá)電子股份有限公司	ANPEC
APM2312AC-TR	文件：151.79 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features ?16V/5A,RDS(ON)=35m?(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=45m?(typ.)@VGS=2.5V RDS(ON)=60m?(typ.)@VGS=1.8V ?SuperHighDenseCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) ?ReliableandRugged ?SOT-23Package Applications ?PowerManagementinNotebookComput	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂達(dá)電子茂達(dá)電子股份有限公司	ANPEC
BC2312	文件：600.09 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS FEATURE TrenchFETPowerMOSFET APPLICATION DC/DCConverters LoadSwitchingforPortableApplications	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
BLM2312	文件：520.59 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BellingSHANGHAI BELLING CO., LTD. 上海貝嶺上海貝嶺股份有限公司	Belling
CES2312	文件：281.47 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■20V,4.5A,RDS(ON)=33m?@VGS=4.5V. RDS(ON)=40m?@VGS=2.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-23package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CES2312	文件：1.88321 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?DC/DCConverters ?LoadSwitchforPortableApplications	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
CHT2312PT	文件：284.61 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CHENMKOchenmko 力勤股份有限公司	CHENMKO
CJ2312	文件：873.34 Kbytes Page：3 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CJ2312	文件：1.20552 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel20-V(D-S)MOSFET	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司	JIANGSU
CJ2312	文件：1.8831 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI

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現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	2312A		24+	N/A	65000	一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇	詢價(jià)
深圳市智創(chuàng)誠(chéng)芯電子科技有限公司	2312BG030	ILITEK	22+	BGA	25000	原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)惠,假一罰十	詢價(jià)
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更多2312A供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-12 11:06:00

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