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25LC160DT-E/MNY集成電路(IC)存儲器規(guī)格書PDF中文資料

25LC160DT-E/MNY
廠商型號

25LC160DT-E/MNY

參數(shù)屬性

25LC160DT-E/MNY 封裝/外殼為8-WFDFN 裸露焊盤;包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC) > 存儲器;產(chǎn)品描述:IC EEPROM 16KBIT SPI 10MHZ 8TDFN

功能描述

16K SPI Bus Serial EEPROM
IC EEPROM 16KBIT SPI 10MHZ 8TDFN

文件大小

508.29 Kbytes

頁面數(shù)量

30

生產(chǎn)廠商 Microchip Technology
企業(yè)簡稱

Microchip微芯科技

中文名稱

微芯科技股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-11-6 17:50:00

25LC160DT-E/MNY規(guī)格書詳情

Description:

The Microchip Technology Inc. 25AA160C/D, 25LC160C/D (25XX160C/D*) are 16 Kbit Serial Electrically Erasable PROMs. The memory is accessed via a simple Serial Peripheral Interface (SPI) compatible serial bus. The bus signals required are a clock input (SCK) plus separate data in (SI) and data out (SO) lines. Access to the device is controlled through a Chip Select (CS) input.

Features:

? Max. Clock 10 MHz

? Low-Power CMOS Technology:

- Max. write current: 5 mA at 5.5V

- Read current: 5 mA at 5.5V, 10 MHz

- Standby current: 5 uA at 5.5V

? 2048 x 8-bit Organization

? 16-Byte Page (‘C’ version devices)

? 32-Byte Page (‘D’ version devices)

? Self-Timed Erase and Write Cycles (5 ms max.)

? Block Write Protection:

- Protect none, 1/4, 1/2 or all of array

? Built-In Write Protection:

- Power-on/off data protection circuitry

- Write enable latch

- Write-protect pin

? Sequential Read

? High Reliability:

- Endurance: > 1M erase/write cycles

- Data retention: > 200 years

- ESD protection: > 4000V

? Temperature Ranges Supported:

? Pb-Free and RoHS Compliant

- Industrial (I): -40?C to +85?C

- Automotive (E): -40°C to +125°C

25LC160DT-E/MNY屬于集成電路(IC) > 存儲器。微芯科技股份有限公司制造生產(chǎn)的25LC160DT-E/MNY存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    25LC160DT-E/MNY

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    EEPROM

  • 技術(shù):

    EEPROM

  • 存儲容量:

    16Kb(2K x 8)

  • 存儲器接口:

    SPI

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    5ms

  • 電壓 - 供電:

    2.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 125°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-WFDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-TDFN(2x3)

  • 描述:

    IC EEPROM 16KBIT SPI 10MHZ 8TDFN

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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