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291ZEZ	文件：265.12 Kbytes Page：1 Pages	EnclosurescanbeFactoryModified(Milling,Drilling,Printingetc.)	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
291ZZ	文件：262.079 Kbytes Page：1 Pages	EnclosurescanbeFactoryModified(Milling,Drilling,Printingetc.)	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
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ADR291	文件：993.6 Kbytes Page：32 Pages	UltralowNoise,HighAccuracy	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導體技術(shù)有限公司	AD
ADR291	文件：348.48 Kbytes Page：20 Pages	LowNoiseMicropower2.5Vand4.096VPrecisionVoltageReferences GENERALDESCRIPTION TheADR291andADR292arelownoise,micropowerprecisionvoltagereferencesthatuseanXFET?referencecircuit.ThenewXFETarchitectureofferssignificantperformanceimprovementsovertraditionalbandgapandburiedZener-basedreferences.Improvementsincludeonequart	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導體技術(shù)有限公司	AD
ADR291	文件：3.90156 Mbytes Page：21 Pages	Precision,Micropower,HighCurrentOutputVoltageReference GENERALDESCRIPTION TheADR3625isalowpower,highprecisionvoltagereferencethat featuresamaximumtemperaturecoefficientof3ppm/°CfortheB gradeinan8-leadMSOP.Capableofsourcingupto 70mA,theADR3625isanexceptionalreplacementtostandard lowdropout(LDO)regulators.	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導體技術(shù)有限公司	AD
ADR291	文件：3.98401 Mbytes Page：26 Pages	Precision,Micropower,HighCurrentOutputVoltageReferences GENERALDESCRIPTION TheADR3625ADR3630ADR3650arelowpower,highprecision voltagereferencesthatfeatureamaximumtemperaturecoefficient of3ppm/°CfortheBgradeinan8-leadMSOP.Capableof sourcingupto70mA,theADR3625ADR3630ADR3650arean exceptionalreplacementtostandardlo	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導體技術(shù)有限公司	AD
ADR291ER	文件：199.78 Kbytes Page：15 Pages	LowNoiseMicropowerPrecisionVoltageReferences GENERALDESCRIPTION TheADR290,ADR291andADR292arelownoise,micropowerprecisionvoltagereferencesthatuseanXFET?referencecircuit.ThenewXFETarchitectureofferssignificantperformanceimprovementsovertraditionalbandgapandZener-basedreferences.Improvementsinclude:onequarte	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導體技術(shù)有限公司	AD

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