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2ED2388S06F

650 V half bridge gate driver with integrated bootstrap diode

Features ?UniqueInfineonThin-Film-SiliconOnInsulator(SOI)-technology ?NegativeVStransientimmunityof-100V ?Floatingchanneldesignedforbootstrapoperation ?Operatingvoltages(VSnode)upto+650V ?Maximumbootstrapvoltage(VBnode)of+675V ?Integratedultra-fast,low

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

2ED2388S06FXUMA1

650 V half bridge gate driver with integrated bootstrap diode

Features ?UniqueInfineonThin-Film-SiliconOnInsulator(SOI)-technology ?NegativeVStransientimmunityof-100V ?Floatingchanneldesignedforbootstrapoperation ?Operatingvoltages(VSnode)upto+650V ?Maximumbootstrapvoltage(VBnode)of+675V ?Integratedultra-fast,low

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多2ED2388S06F供應商 更新時間2025-1-12 11:06:00

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