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2N1131中文資料美高森美數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2N1131
廠商型號

2N1131

參數(shù)屬性

2N1131 封裝/外殼為TO-205AD,TO-39-3 金屬罐;包裝為散裝;類別為分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個;產(chǎn)品描述:POWER BJT

功能描述

LOW POWER PNP SILICONTRANSISTOR

文件大小

149.35 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡稱

Microsemi美高森美

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-11-15 13:30:00

晶體管資料

  • 型號:

    2N1131

  • 別名:

    2N1131三極管、2N1131晶體管、2N1131晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    50V

  • 最大電流允許值:

    0.6A

  • 最大工作頻率:

    >50MHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BC161,BC303,BC304,2N2904(A),2N2905(A),2N4235,2N5323,3CK9D,

  • 最大耗散功率:

    0.6W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    C-40

  • vtest:

    50

  • htest:

    50000100

  • atest:

    0.6

  • wtest:

    0.6

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2N1131

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/177

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.3V @ 15mA,150mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    10mA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 150mA,10V

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-205AD,TO-39-3 金屬罐

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-39(TO-205AD)

  • 描述:

    POWER BJT

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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原裝正品長期供貨,如假包賠包換 徐小姐13714450367
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