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2N1131L中文資料美高森美數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

2N1131L
廠商型號(hào)

2N1131L

參數(shù)屬性

2N1131L 封裝/外殼為TO-205AA,TO-5-3 金屬罐;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè);產(chǎn)品描述:POWER BJT

功能描述

LOW POWER PNP SILICON TRANSISTOR

文件大小

56.61 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡稱

Microsemi美高森美

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2024-11-15 14:05:00

2N1131L規(guī)格書詳情

LOW POWER PNP SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/177

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2N1131L

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/177

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.3V @ 15mA,150mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    10mA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 150mA,10V

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-205AA,TO-5-3 金屬罐

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-5AA

  • 描述:

    POWER BJT

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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