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2N1131L分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

2N1131L
廠商型號

2N1131L
參數(shù)屬性

2N1131L 封裝/外殼為TO-205AA，TO-5-3 金屬罐；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：POWER BJT
功能描述

LOW POWER PNP SILICON TRANSISTOR
封裝外殼

TO-205AA，TO-5-3 金屬罐
文件大小

56.61 Kbytes
頁面數(shù)量

3 頁
生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡稱

Microsemi【美高森美】

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-1 15:02:00

2N1131L規(guī)格書詳情

LOW POWER PNP SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/177

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    2N1131L

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 系列：

    Military, MIL-PRF-19500/177

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    1.3V @ 15mA，150mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    10mA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    20 @ 150mA，10V

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 200°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-205AA，TO-5-3 金屬罐

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-5AA

  • 描述：

    POWER BJT

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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