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2N119中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2N119
廠商型號(hào)

2N119
功能描述

N-P-N GROWN JUNCTION SILICON TRANSISTOR
文件大小

133.83 Kbytes
頁面數(shù)量

1 頁
生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI【新澤西半導(dǎo)體】

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2024-11-15 17:50:00

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    2N119

  • 別名：

    2N119三極管、2N119晶體管、2N119晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    45V

  • 最大電流允許值：

    0.025A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    BC167,BC182,BC237,BC547,

  • 最大耗散功率：

    0.15W

  • 放大倍數(shù)：

    β>38

  • 圖片代號(hào)：

    D-161

  • vtest：

    45

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.025

  • wtest：

    0.15

2N119規(guī)格書詳情

36 to 86 beta spread Specifically designed for high gain at high temperatures

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    2N119

  • 制造商：

    NJSEMI

  • 制造商全稱：

    New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

  • 功能描述：

    N-P-N GROWN JUNCTION SILICON TRANSISTOR

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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