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2N1711分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

2N1711
廠商型號(hào)

2N1711

參數(shù)屬性

2N1711 封裝/外殼為TO-205AD,TO-39-3 金屬罐;包裝為剪切帶(CT)帶盒(TB);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 50V 0.5A TO39

功能描述

SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

文件大小

214.92 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

3 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Comset Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

COMSET

中文名稱

Comset Semiconductor官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-1-3 16:01:00

晶體管資料

  • 型號(hào):

    2N1711(B)

  • 別名:

    2N1711三極管、2N1711晶體管、2N1711晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    通用型 (Uni)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    120V

  • 最大電流允許值:

    1A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

    BC141,BC301,BFX68,BFX69,BSS42,BSV42,BSV84,BSW39,BSW65,BSX45,BFX68,2N1613,2N2102,2N2405,2N3019,2N3020,3DK10C,

  • 最大耗散功率:

    1W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    C-40

  • vtest:

    120

  • htest:

    999900

  • atest:

    1

  • wtest:

    1

2N1711規(guī)格書詳情

SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

The 2N1613 and 2N1711 are NPN transistors mounted in TO-39 metal package with the collector connected to the case .

They are designed for use in high-performance amplifier, oscillator and switching circuits.

The 2N1711 is also used to advantage in amplifiers where low noise is an important factor.

Compliance to RoHS.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2N1711

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    剪切帶(CT)帶盒(TB)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.5V @ 15mA,150mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    10nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    35 @ 100mA,10V

  • 頻率 - 躍遷:

    100MHz

  • 工作溫度:

    175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-205AD,TO-39-3 金屬罐

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-39

  • 描述:

    TRANS NPN 50V 0.5A TO39

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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