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2N1725 | Triple Diffused Power Transistors 2N1210 2N1211 2N1250 2N1620 2N1722 2N2032 2N2383 2N389 2N389A 2N424 2N424A | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | |
2N1725 | Package：TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，接線柱；包裝：托盤 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：POWER BJT | MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司 | Microchip |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
開關(guān)管 （S）_功率放大 （L）
- 封裝形式：
特殊封裝
- 極限工作電壓：
120V
- 最大電流允許值：
5A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
BLX19,2N3489,2N3492,3DK5A6,
- 最大耗散功率：
100W
- 放大倍數(shù)：
β>50
- 圖片代號：
F-28
- vtest：
120
- htest：
999900
- atest：
5
- wtest：
100
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
2N1725
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
3 NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
80V
- 功率 - 最大值：
3W
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 2A， 15V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
5A
- 工作溫度：
175°C（TJ）
- 安裝類型：
接線柱安裝
- 封裝/外殼：
TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，接線柱
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-61
- 描述：
POWER BJT
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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N/A |
82000 |
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更新時間2025-1-18 11:06:00
