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2N2197中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2N2197
廠商型號

2N2197

功能描述

Transistors NPN silicium Planar epitaxiaux

文件大小

80.71 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-4 17:00:00

晶體管資料

  • 型號:

    2N2197

  • 別名:

    2N2197三極管、2N2197晶體管、2N2197晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    80V

  • 最大電流允許值:

    1A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BD139,BD169,BD179,BD230,BD237,BD387,BD829,2N3766,3DK30C,

  • 最大耗散功率:

    15W

  • 放大倍數(shù):

    β>75

  • 圖片代號:

    E-36

  • vtest:

    80

  • htest:

    999900

  • atest:

    1

  • wtest:

    15

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    2N2197

  • 功能描述:

    TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-37VAR

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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