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SWITCHING TRANSISTOR NPN SILICON FEATURES: ELECTRICALPERFORMANCEI.A.W.MIL-PRF-19500/255 AVAILABLEINWAFERORCHIPFORMFORHYBRIDAPPLICATIONS GENERALPURPOSE-HIGHSPEEDSWITCHINGAPPLICATIONS LOWVCE(sat):.3V@IC=150mAdc | MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司 | Microsemi | ||
Marking：1P；Package：SC-89；General Purpose Transistor GeneralPurposeTransistor NPNSilicon Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSC?89packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. Features ?WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirement | FS First Silicon Co., Ltd | FS | ||
Hi-Rel 40 V - 0.8 A NPN transistor Description Thisbipolartransistorisabletooperateundersevereenvironmentconditionsandradiationexposureprovidinghighimmunitytototalionizingdose(TID). QualifiedasperESCC5201/002specificationandavailableinLCC-3andUBhermeticpackages,itisspecificallyrecommendedfor | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán) | STMICROELECTRONICS | ||
NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR NPNSILICONSWITCHINGTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/255 | MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司 | Microsemi | ||
NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/255 NPNSILICONSWITCHINGTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/255 | MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司 | Microsemi | ||
Marking：1P；Package：SOT-23；General Purpose Transistor GeneralPurposeTransistor NPNSilicon ?WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements. | FS First Silicon Co., Ltd | FS | ||
Marking：Q1P；Package：SOT-23；General Purpose Transistors NPN Silicon 1.FEATURES ?SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage ?Collectorcurrentsupto600mA,QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability,HFProduct ?Generalpurposeamplifier,Meetthestringentrequirements ofautomotiveapplications | FS First Silicon Co., Ltd | FS | ||
Marking：1P；Package：SOT-23；General Purpose Transistors NPN Silicon 1.FEATURES ●Wedeclarethatthematerialofproductcompliancewith RoHSrequirementsandHalogenFree. ●S-prefixforautomotiveandotherapplicationsrequiring uniquesiteandcontrolchangerequirements;AEC-Q101 qualifiedandPPAPcapable. | FS First Silicon Co., Ltd | FS | ||
SWITCHING TRANSISTOR NPN SILICON FEATURES: ELECTRICALPERFORMANCEI.A.W.MIL-PRF-19500/255 AVAILABLEINWAFERORCHIPFORMFORHYBRIDAPPLICATIONS GENERALPURPOSE-HIGHSPEEDSWITCHINGAPPLICATIONS LOWVCE(sat):.3V@IC=150mAdc | MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司 | Microsemi | ||
PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandAFamplifierapplications. | SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司 | SEMTECH_ELEC |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_開(kāi)關(guān)管 （S）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
120V
- 最大電流允許值：
1A
- 最大工作頻率：
>10MHZ
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
BC300,BD237,BD524,2N2405,2N3019,2N3020,2N3767,2SC2690,2SC3421,2SD1381,2SD1382,3DK12B,
- 最大耗散功率：
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
E-36
- vtest：
120
- htest：
10000100
- atest：
1
- wtest：
0
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
2N2201
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
散裝
- 描述：
POWER BJT
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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N/A |
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原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
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