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2N2222 | SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS The2N2907and2N2907aAarePNPtransistorsmountedinTO-18metalpackagewiththecollectorconnectedtothecase. Theyareprimarilyintendedforhighspeedswitching. NPNcomplementsare2N2222and2N2222A. CompliancetoRoHS | COMSET Comset Semiconductor | COMSET | |
2N2222 | SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS The2N2907and2N2907aAarePNPtransistorsmountedinTO-18metalpackagewiththecollectorconnectedtothecase. Theyareprimarilyintendedforhighspeedswitching. NPNcomplementsare2N2222and2N2222A. CompliancetoRoHS | COMSET Comset Semiconductor | COMSET | |
2N2222 | NPN Switching Transistors Features ?Highcurrent(max.800mA) ?Lowvoltage(max.40V) ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) | MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導體股份有限公司 | MCC | |
2N2222 | NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N2221,2N2222typesaresiliconNPNepitaxialplanartransistorsdesignedforsmallsignal,generalpurposeswitchingapplications. MARKING:FULLPARTNUMBER | CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導體 | Central | |
2N2222 | NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandAFamplifierapplications. Thetransistorissubdividedintoonegroup accordingtoitsDCcurrentgain. Onspecialrequest,thesetransistorscanbe manufacturedindifferentpinconfigurations. | DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司 | DGNJDZ | |
2N2222 | NPN SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTORS NPNSILICONPLANARSWITCHINGTRANSISTORS SwitchingandLinearApplicationDCandVHFAmplifierApplications | CDIL Continental Device India Limited | CDIL | |
2N2222 | NPN SMALL SIGNAL GENERAL PURPOSE AMPLIFIER AND SWITCH NPNSMALLSIGNALGENERALPURPOSEAMPLIFIERANDSWITCH | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | |
2N2222 | SWITCHING SILICON TRANSISTORS SWITCHINGSILICONTRANSISTORS The2N2221-Aand2N2222-AareNPNtransistorsmountedinTO-18metalcase. Theyaredesignedforhigh-speedswitchingapplicationsandfeatureusefulcurrentgainoverawiderangeofcollectorcurrent,lowleakagecurrentsandlowsaturationvoltages. Compliance | COMSET Comset Semiconductor | COMSET | |
2N2222 | the transistor is subdivded into one group NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandAFamplifierapplications. Thetransistorissubdividedintoonegroup accordingtoitsDCcurrentgain. Onspecialrequest,thesetransistorscanbe manufacturedindifferentpinconfigurations. | Surge Surge Components | Surge | |
2N2222 | Complement to Type 2N2907 DESCRIPTION ?CollectorCurrent-IC=0.8A ?Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=30V(Min) ?ComplementtoType2N2907 APPLICATIONS ?Designedforgeneral-purposeswitchingandlinear amplification. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司 | ISC |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
通用型 （Uni）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
60V
- 最大電流允許值：
0.8A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
BC546,BC639,BFX95,BSW62,BSW85,3DK3D,3DG2222,
- 最大耗散功率：
0.5W
- 放大倍數(shù)：
β=300
- 圖片代號：
A-31
- vtest：
60
- htest：
999900
- atest：
0.8
- wtest：
0.5
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
2N2222
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
剪切帶（CT）
- 晶體管類型：
NPN
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
1.6V @ 50mA，500mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
10nA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
- 頻率 - 躍遷：
250MHz
- 工作溫度：
175°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-206AA，TO-18-3 金屬罐
- 供應商器件封裝：
TO-18
- 描述：
TRANS NPN 30V 0.6A TO18
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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