2N2369分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
2N2369 |
參數(shù)屬性 | 2N2369 封裝/外殼為TO-206AA,TO-18-3 金屬罐;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:SMALL-SIGNAL BJT |
功能描述 | 20 STERN AVE |
文件大小 |
93.58 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
2 頁 |
生產(chǎn)廠商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
企業(yè)簡稱 |
NJSEMI【新澤西半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-3 18:28:00 |
晶體管資料
- 型號:
- 別名:
2N2369三極管、2N2369晶體管、2N2369晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性質(zhì):
高速開關(guān) (SS)
- 封裝形式:
直插封裝
- 極限工作電壓:
40V
- 最大電流允許值:
0.2A
- 最大工作頻率:
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù):
3
- 可代換的型號:
BSS10,BSS11,BSS12,BSV59,BSX19,BSX20,BSX39,BSX87,BSX88,BSX92,BSX93,BSY62,BSY63,2N3227,2N3261,2SC2901,3DG84B,
- 最大耗散功率:
0.36W
- 放大倍數(shù):
β>40
- 圖片代號:
D-8
- vtest:
40
- htest:
999900
- atest:
0.2
- wtest:
0.36
2N2369規(guī)格書詳情
SWITCHING TRANSISTORS
NPN SILICON
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
2N2369
- 制造商:
Microchip Technology
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
- 包裝:
托盤
- 晶體管類型:
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
15V
- 功率 - 最大值:
680mW
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
40 @ 10mA,1V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
200mA
- 工作溫度:
-65°C ~ 200°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-206AA,TO-18-3 金屬罐
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-18(TO-206AA)
- 描述:
SMALL-SIGNAL BJT
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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