2N2780分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號(hào) |
2N2780 |
參數(shù)屬性 | 2N2780 封裝/外殼為TO-211MB,TO-63-4,接線柱;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:POWER BJT |
功能描述 | 20 STERN AVE SPRINGFIELD,NEW JERSEY 07081 U.S.A |
文件大小 |
296.15 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
3 頁 |
生產(chǎn)廠商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
企業(yè)簡稱 |
NJSEMI【新澤西半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2024-12-26 9:31:00 |
晶體管資料
- 型號(hào):
- 別名:
2N2780三極管、2N2780晶體管、2N2780晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性質(zhì):
開關(guān)管 (S)_功率放大 (L)
- 封裝形式:
特殊封裝
- 極限工作電壓:
300V
- 最大電流允許值:
30A
- 最大工作頻率:
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù):
3
- 可代換的型號(hào):
2N6324,2N6325,3DK210F,
- 最大耗散功率:
200W
- 放大倍數(shù):
- 圖片代號(hào):
F-28
- vtest:
300
- htest:
999900
- atest:
30
- wtest:
200
2N2780規(guī)格書詳情
General Description
This transistor is a NPN silicon power transistor designed primarily for high power switching applications and inverters at or below the collector current give in Table I. It is intended for Industrial and Military class of service.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
2N2780
- 制造商:
Microchip Technology
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)
- 包裝:
散裝
- 晶體管類型:
PNP
- 工作溫度:
-65°C ~ 200°C(TJ)
- 安裝類型:
接線柱安裝
- 封裝/外殼:
TO-211MB,TO-63-4,接線柱
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-63
- 描述:
POWER BJT
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Microchip Technology |
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