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2N2919L分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-陣列規(guī)格書PDF中文資料

2N2919L
廠商型號

2N2919L
參數(shù)屬性

2N2919L 封裝/外殼為TO-78-6 金屬罐；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-陣列；產(chǎn)品描述：TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78
功能描述

NPN SILICON DUAL TRANSISTOR
封裝外殼

TO-78-6 金屬罐
文件大小

304.78 Kbytes
頁面數(shù)量

4 頁
生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡稱

Microsemi【美高森美】

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-5 11:26:00

2N2919L規(guī)格書詳情

NPN SILICON DUAL TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500 /355

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    2N2919L

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 陣列

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    2 NPN（雙）

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    30mA

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    60V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    300mV @ 100μA，1mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    10μA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    150 @ 1mA，5V

  • 功率 - 最大值：

    350mW

  • 工作溫度：

    200°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-78-6 金屬罐

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-78-6

  • 描述：

    TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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