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2N3019分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

2N3019
廠商型號

2N3019

參數(shù)屬性

2N3019 封裝/外殼為TO-205AD,TO-39-3 金屬罐;包裝為剪切帶(CT)帶盒(TB);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 80V 1A TO39

功能描述

SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

封裝外殼

TO-205AD,TO-39-3 金屬罐

文件大小

176.84 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 Comset Semiconductor
企業(yè)簡稱

COMSET

中文名稱

Comset Semiconductor官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-2-6 15:14:00

晶體管資料

  • 型號:

    2N3019(S)

  • 別名:

    2N3019三極管、2N3019晶體管、2N3019晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    通用型 (Uni)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    140V

  • 最大電流允許值:

    1A

  • 最大工作頻率:

    >100MHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BSS43,BSW68,2SC1860,2N3440,2N3500,2N3501,2G072C,

  • 最大耗散功率:

    0.8W

  • 放大倍數(shù):

    β>100

  • 圖片代號:

    C-40

  • vtest:

    140

  • htest:

    100000100

  • atest:

    1

  • wtest:

    0.8

2N3019規(guī)格書詳情

The 2N3019 and 2N3020 are NPN transistors mounted in TO-39 metal case .

They are intended for high-current, high-frequency amplifier applications.

They feature high gain and low saturation voltages.

Compliance to RoHS

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2N3019

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    剪切帶(CT)帶盒(TB)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    500mV @ 50mA,500mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    10nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 150mA,10V

  • 頻率 - 躍遷:

    100MHz

  • 工作溫度:

    175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-205AD,TO-39-3 金屬罐

  • 供應商器件封裝:

    TO-39

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 1A TO39

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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