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2N3057A分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料

2N3057A
廠商型號(hào)

2N3057A

參數(shù)屬性

2N3057A 封裝/外殼為T(mén)O-206AB,TO-46-3 金屬罐;包裝為散裝;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 80V 1A TO46-3

功能描述

LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR

封裝外殼

TO-206AB,TO-46-3 金屬罐

文件大小

71.18 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

Microsemi美高森美

中文名稱(chēng)

美高森美公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-6 10:18:00

晶體管資料

  • 型號(hào):

    2N3057A

  • 別名:

    2N3057A三極管、2N3057A晶體管、2N3057A晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    通用型 (Uni)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    140V

  • 最大電流允許值:

    1A

  • 最大工作頻率:

    >80MHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

    2N3700,2N3701,2SC2383,2SC3228,2G072C,

  • 最大耗散功率:

    0.4W

  • 放大倍數(shù):

    β>100

  • 圖片代號(hào):

    D-8

  • vtest:

    140

  • htest:

    80000100

  • atest:

    1

  • wtest:

    0.4

2N3057A規(guī)格書(shū)詳情

LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/391

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2N3057A

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類(lèi)型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    500mV @ 50mA,500mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    10nA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 500mA,10V

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-206AB,TO-46-3 金屬罐

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-46-3

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 1A TO46-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Microsemi
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N/A
908
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