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2N3391

NPNGeneralPurposeAmplifier

NPNGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforuseasgeneralpurposeamplifiersandswitchesrequiringcollectorcurrentsto300mA.SourcedfromProcess10.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司

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NPNSILICONTRANSISTORS

NPNGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforuseasgeneralpurposeamplifiersandswitchesrequiringcollectorcurrentsto300mA.SourcedfromProcess10.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司

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NPNGeneralPurposeAmplifier

NPNGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforuseasgeneralpurposeamplifiersandswitchesrequiringcollectorcurrentsto300mA.SourcedfromProcess10.SeePN100Aforcharacteristics.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

2N3391

NPNGeneralPurposeAmplifier

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

2N3391A

SmallSignalTransistors

SmallSignalTransistors

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導體

2N3391A

NPNGeneralPurposeAmplifier

NPNGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforuseasgeneralpurposeamplifiersandswitchesrequiringcollectorcurrentsto300mA.SourcedfromProcess10.SeePN100Aforcharacteristics.

FairchildFairchild Semiconductor

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NPNGeneralPurposeAmplifier

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SILICONNPNTRANSISTORS

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導體

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NPNGeneralPurposeAmplifier

FairchildFairchild Semiconductor

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詳細參數

  • 型號：

    2N3391A_Q

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多2N3391A_Q供應商 更新時間2025-1-17 14:08:00

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