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2N3439分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

2N3439
廠商型號(hào)

2N3439

參數(shù)屬性

2N3439 封裝/外殼為TO-205AD,TO-39-3 金屬罐;包裝為剪切帶(CT)帶盒(TB);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 350V 1A TO39

功能描述

High-Voltage Silicon N-P-N Transistors

文件大小

102.9 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-12-25 19:38:00

晶體管資料

  • 型號(hào):

    2N3439(L,S)

  • 別名:

    2N3439三極管、2N3439晶體管、2N3439晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    開關(guān)管 (S)_視頻輸出 (Vid)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    450V

  • 最大電流允許值:

    1A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

    BSS49,BUX54,BUX55,BUX64,BUY59,BUY60,2N5095,3DK304B,

  • 最大耗散功率:

    1W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    C-40

  • vtest:

    450

  • htest:

    999900

  • atest:

    1

  • wtest:

    1

2N3439規(guī)格書詳情

High-Voltage Silicon N-P-N Transistors

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2N3439

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    剪切帶(CT)帶盒(TB)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    500mV @ 4mA,50mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    20μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 20mA,10V

  • 頻率 - 躍遷:

    15MHz

  • 工作溫度:

    200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-205AD,TO-39-3 金屬罐

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-39

  • 描述:

    TRANS NPN 350V 1A TO39

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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