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2N3509CSM

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed LCC1

SEME-LAB

Seme LAB

2N3509DCSM

Dual Bipolar NPN Devices in a hermetically sealed

SEME-LAB

Seme LAB

2N3500L

包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:NPN POWER SILICON TRANSISTORS

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

2N3500U4

Package:3-SMD,無引線;包裝:散裝 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:TRANS NPN 150V 0.3A U4

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

2N3500U4/TR

Package:3-SMD,無引線;包裝:散裝 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:TRANS NPN 150V 0.3A U4

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

晶體管資料

  • 型號:

    2N350

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Ge-PNP

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    40V

  • 最大電流允許值:

    3A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號:

    AD149,AD166,AUY19,AUY20,2N1529,2N1534,2N2138,2N2143,2N2144,2N2145,2N2146,3AD50A,

  • 最大耗散功率:

    10W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    E-44

  • vtest:

    40

  • htest:

    999900

  • atest:

    3

  • wtest:

    10

詳細參數(shù)

  • 型號:

    2N350

  • 功能描述:

    TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-3

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多2N350供應(yīng)商 更新時間2025-4-26 14:30:00