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2N3637

PNP SILICON TRANSISTOR

DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N3637isaPNPSiliconTransistor,mountedinahermeticallysealedTO-39package,designedforgeneralpurposeamplifierandhighvoltageswitchingapplications. MARKING:FULLPARTNUMBER

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導(dǎo)體

2N3637

SI PNP POWER BJT

Metal-CanHigh-Voltage/High-CurrentTransistors

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

2N3637

SILICON PLANAR RF TRANSISTORS

SILICONPLANARRFTRANSISTORS The2N3636and2N3637arePNPtransistorsmountedinTO-39metalcase. TheyareintendedforhighvoltageswitchingandLowPowerAmplifier. CompliancetoRoHS

COMSET

Comset Semiconductor

2N3637

Low Power Transistors

LowPowerTransistors PNPSilicon Features ?MIL?PRF?19500/357Qualified ?AvailableasJAN,JANTX,JANTXVandJANHC

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

2N3637

PNP SILICON PLANAR RF TRANSISTORS

PNPSILICONPLANARRFTRANSISTORS 2N3635and2N3637ArePNPSiliconTransistrosForHighVoltageSwitchingandLowPowerAmplifier.

CDIL

Continental Device India Limited

2N3637

SILICON PNP TRANSISTOR

FEATURES ?HighVoltageSwitching ?LowPowerAmplifierApplications ?HermeticTO39Package APPLICATIONS: ?GeneralPurpose ?HighSpeedSaturatedSwitching

TTELECTT Electronics.

TT電子公司梯梯電子集成制造服務(wù)(蘇州)有限公司

2N3637

GENERAL PURPOSE TRANSISTOR (PNP SILICON)

GENERALPURPOSETRANSISTOR PNPSILICON

bocaBoca Semiconductor Corporation

博卡博卡半導(dǎo)體公司

2N3637

PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR

PNPSILICONSWITCHINGTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/357

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N3637

RADIATION HARDENED

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N3637

PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

晶體管資料

  • 型號:

    2N3637(S)

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    175V

  • 最大電流允許值:

    1A

  • 最大工作頻率:

    >150MHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BFT19A,BFT19B,BFT28(A),BFT28(B),BFT28(C),2N5415,

  • 最大耗散功率:

    1W

  • 放大倍數(shù):

    β>100

  • 圖片代號:

    C-40

  • vtest:

    175

  • htest:

    150000100

  • atest:

    1

  • wtest:

    1

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2N3637

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 描述:

    NPN POWER SILICON TRANSISTORS

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