2N3700UB中文資料美高森美數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
廠商型號 |
2N3700UB |
參數(shù)屬性 | 2N3700UB 封裝/外殼為3-SMD,無引線;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 80V 1A UB |
功能描述 | Low Power NPN Silicon Transistor |
文件大小 |
432.79 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
7 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Microsemi Corporation |
企業(yè)簡稱 |
Microsemi【美高森美】 |
中文名稱 | 美高森美公司官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-11-8 19:56:00 |
2N3700UB規(guī)格書詳情
? Surface mount equivalent to JEDEC registered 2N3700 number.
? JAN, JANTX, JANTXV and JANS qualifications are available per MIL-PRF-19500/391.
? Rad hard levels are also available per MIL-PRF-19500/391. (See RHA datasheet for
JANS_2N3700UB.)
? RoHS compliant versions available (commercial grade only).
APPLICATIONS
? Ceramic UB surface mount package.
? Lightweight.
? Low power.
? Military and other high-reliability applications.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
2N3700UB
- 制造商:
Microchip Technology
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個
- 包裝:
管件
- 晶體管類型:
NPN
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
500mV @ 50mA,500mA
- 電流 - 集電極截止(最大值):
10nA
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
50 @ 500mA,10V
- 工作溫度:
-65°C ~ 200°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
3-SMD,無引線
- 供應(yīng)商器件封裝:
UB
- 描述:
TRANS NPN 80V 1A UB
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Microchip Technology |
24+ |
3-SMD,無引線 |
30000 |
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品 |
詢價 | ||
ON |
1738+ |
TO-92 |
8529 |
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MICROCHIP(美國微芯) |
23+ |
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CENTRAL |
23+ |
原廠原包 |
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MICROSEMI/美高森美 |
22+ |
SMD3 |
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ST/意法 |
2022 |
TO-18 |
80000 |
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Microsemi |
2018+ |
SMD |
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MSC |
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