2N3740分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號(hào) |
2N3740 |
參數(shù)屬性 | 2N3740 封裝/外殼為TO-213AA,TO-66-2;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANSISTOR |
功能描述 | PNP SILICON POWER TRANSISTORS |
文件大小 |
86.26 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
1 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Central Semiconductor Corp |
企業(yè)簡稱 |
Central |
中文名稱 | 美國中央半導(dǎo)體官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2024-11-16 11:14:00 |
晶體管資料
- 型號(hào):
- 別名:
2N3740三極管、2N3740晶體管、2N3740晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家:
- 制作材料:
Si-PNP
- 性質(zhì):
低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L
- 封裝形式:
直插封裝
- 極限工作電壓:
60V
- 最大電流允許值:
4A
- 最大工作頻率:
>4MHZ
- 引腳數(shù):
2
- 可代換的型號(hào):
BUW140(A),BUW40(B),BUX84,BUY63,2N4296,2N4297,2N3584,2N4240,3DK205G,
- 最大耗散功率:
25W
- 放大倍數(shù):
- 圖片代號(hào):
E-8
- vtest:
60
- htest:
4000100
- atest:
4
- wtest:
25
2N3740規(guī)格書詳情
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3740 series devices are silicon PNP power transistors manufactured by the epitaxial base process designed for power amplifier and medium speed switching applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
2N3740屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)。美國中央半導(dǎo)體制造生產(chǎn)的2N3740晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對(duì)于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢(shì),但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
2N3740
- 制造商:
Central Semiconductor Corp
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)
- 包裝:
散裝
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
600mV @ 125mA,1A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
1mA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
40 @ 100mA,1V
- 頻率 - 躍遷:
4MHz
- 工作溫度:
-65°C ~ 200°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-213AA,TO-66-2
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-66
- 描述:
TRANSISTOR
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
MOT |
21+ |
TO-66 |
12588 |
原裝正品,自己庫存 假一罰十 |
詢價(jià) | ||
CENTRAL |
23+ |
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23+ |
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詢價(jià) |