2N3741A分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
2N3741A |
| 參數(shù)屬性 | 2N3741A 封裝/外殼為TO-213AA，TO-66-2；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANSISTOR |
| 功能描述 | Medium Power PNP Transistors |
| 文件大小 |
62.52 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
3 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Microsemi Corporation |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Microsemi【美高森美】 |
| 中文名稱 | 美高森美公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2024-12-27 18:11:00 |
2N3741A規(guī)格書詳情
DESCRIPTION:
These power transistors are produced by PPCs DOUBLE DIFFUSED PLANAR process. This technology produces high voltage devices with excellent switching speeds, frequency response, gain linearity, saturation voltages, high current gain, and safe operating areas. They are intended for use in Commercial, Industrial, and Military power switching, amplifier, and regulator applications.
Ultrasonically bonded leads and controlled die mount techniques are utilized to further increase the SOA capability and inherent reliability of these devices. The temperature range to 200°C permits reliable operation in high ambients, and the hermetically sealed package insures maximum reliability and long life.
FEATURES:
● Low Saturation Voltage: 0.6 VCE(sat) @ IC = 1.0 Amp
● High Gain Characteristics: hFE @ IC = 250 mA: 30-100
● Excellent Safe Area Limits
● Low Collector Cutoff Current: 100 nA (Max) 2N3741A
APPLICATIONS:
● Drivers
● Switches
● Medium-Power Amplifiers
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
2N3741A
- 制造商：
Central Semiconductor Corp
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
散裝
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
600mV @ 125mA，1A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
1μA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 100mA，1V
- 頻率 - 躍遷：
4MHz
- 工作溫度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-213AA，TO-66-2
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-66
- 描述：
TRANSISTOR
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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