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2N3789分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

2N3789
廠商型號

2N3789

參數(shù)屬性

2N3789 封裝/外殼為TO-204AA,TO-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:POWER BJT

功能描述

isc Silicon PNP Power Transistor

封裝外殼

TO-204AA,TO-3

文件大小

261.22 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-3 11:02:00

晶體管資料

  • 型號:

    2N3789

  • 別名:

    2N3789三極管、2N3789晶體管、2N3789晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    60V

  • 最大電流允許值:

    10A

  • 最大工作頻率:

    >4MHZ

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號:

    BD546A,BD316,BDX18,BD250A,2N6029,2N6030,2N6031,2N6229,2N6230,2N6231,2N6247,3CD15C,

  • 最大耗散功率:

    150W

  • 放大倍數(shù):

    β>25

  • 圖片代號:

    E-44

  • vtest:

    60

  • htest:

    4000100

  • atest:

    10

  • wtest:

    150

2N3789規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

? Excellent Safe Operating Area

? Low Collector-Emitter Saturation Voltage

? 100 avalanche tested

? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation.

APPLICATIONS

? Designed for medium-speed switching and amplifier applications.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2N3789

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-204AA,TO-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-204AD(TO-3)

  • 描述:

    POWER BJT

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
MOTOROLA/摩托羅拉
23+
TO-3
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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23+
TO-3
16900
正規(guī)渠道,只有原裝!
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24+
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只做原裝公司現(xiàn)貨
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TO-3
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