2N3789中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
廠商型號 |
2N3789 |
參數(shù)屬性 | 2N3789 封裝/外殼為TO-204AA,TO-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個;產(chǎn)品描述:POWER BJT |
功能描述 | SILICON PNP POWER TRANSISTORS |
文件大小 |
182.44 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
2 頁 |
生產(chǎn)廠商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
企業(yè)簡稱 |
NJSEMI【新澤西半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-11-16 9:45:00 |
晶體管資料
- 型號:
- 別名:
2N3789三極管、2N3789晶體管、2N3789晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家:
- 制作材料:
Si-PNP
- 性質(zhì):
低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L
- 封裝形式:
直插封裝
- 極限工作電壓:
60V
- 最大電流允許值:
10A
- 最大工作頻率:
>4MHZ
- 引腳數(shù):
2
- 可代換的型號:
BD546A,BD316,BDX18,BD250A,2N6029,2N6030,2N6031,2N6229,2N6230,2N6231,2N6247,3CD15C,
- 最大耗散功率:
150W
- 放大倍數(shù):
β>25
- 圖片代號:
E-44
- vtest:
60
- htest:
4000100
- atest:
10
- wtest:
150
2N3789規(guī)格書詳情
SILICON PNP POWER TRANSISTORS
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
2N3789
- 制造商:
Microchip Technology
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個
- 包裝:
散裝
- 晶體管類型:
PNP
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-204AA,TO-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-204AD(TO-3)
- 描述:
POWER BJT
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
1738+ |
TO-3 |
8529 |
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詢價 | |||
2N3789 |
3 |
3 |
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TO |
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TO-3 |
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