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2N3904RLRP	文件：98.77 Kbytes Page：8 Pages	General Purpose Transistors(NPN Silicon) GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Features ?Pb?FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
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2N3904RLRP	文件：85.66 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors NPN Silicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
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2N3904RLRPG	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-226-3，TO-92-3 長基體（成形引線）類別：分立半導體產品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個描述：TRANS NPN 40V 0.2A TO92	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
2N3904S	文件：448.76 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES ?LowLeakageCurrent :ICEX=50nA(Max.),IBL=50nA(Max.) @VCE=30V,VEB=3V. ?ExcellentDCCurrentGainLinearity. ?LowSaturationVoltage :VCE(sat)=0.3V(Max.)@IC=50mA,IB=5mA. ?LowCollectorOutputCapacitance	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
2N3904S	文件：416 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
2N3904S	文件：232.66 Kbytes Page：8 Pages	GeneralPurposeTransistor	FS First Silicon Co., Ltd	FS
2N3904SC	文件：706.4 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES ?LowLeakageCurrent :ICEX=50nA(Max.),IBL=50nA(Max.) @VCE=30V,VEB=3V. ?ExcellentDCCurrentGainLinearity. ?LowSaturationVoltage :VCE(sat)=0.3V(Max.)@IC=50mA,IB=5mA. ?Complementaryto2N3906SC.	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
2N3904TA	文件：329.69 Kbytes Page：9 Pages	NPNGeneral-PurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedasageneral?purposeamplifierandswitch. Theusefuldynamicrangeextendsto100mAasaswitchandto 100MHzasanamplifier.	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
2N3904TA	文件：175.07 Kbytes Page：7 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedasageneral-purposeamplifierandswitch.Theusefuldynamicrangeextendsto100mAasaswitchandto100MHzasanamplifier.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
2N3904-TA	文件：1.75489 Mbytes Page：5 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors Features NPNsiliconepitaxialplanartransistorforswitchingand Amplifierapplications Ascomplementarytype,thePNPtransistor2N3906is Recommended ThistransistorisalsoavailableintheSOT-23casewith thetypedesignationMMBT3904	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
2N3904TAR	文件：329.69 Kbytes Page：9 Pages	NPNGeneral-PurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedasageneral?purposeamplifierandswitch. Theusefuldynamicrangeextendsto100mAasaswitchandto 100MHzasanamplifier.	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
2N3904TF	文件：329.69 Kbytes Page：9 Pages	NPNGeneral-PurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedasageneral?purposeamplifierandswitch. Theusefuldynamicrangeextendsto100mAasaswitchandto 100MHzasanamplifier.	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
2N3904TFR	文件：329.69 Kbytes Page：9 Pages	NPNGeneral-PurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedasageneral?purposeamplifierandswitch. Theusefuldynamicrangeextendsto100mAasaswitchandto 100MHzasanamplifier.	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
2N3904U	文件：206.65 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistor	FS First Silicon Co., Ltd	FS
2N3904U	文件：21.29 Kbytes Page：1 Pages	USMPACKAGE	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC

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詳細參數

型號：
2N3904RLRP
功能描述：
兩極晶體管 - BJT 200mA 60V NPN
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
PNP 集電極—基極電壓
VCBO：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
VEBO：
- 6 V
增益帶寬產品fT：
直流集電極/Base Gain hfe
Min：
100 A
安裝風格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
PowerFLAT 2 x 2

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