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2N3906RLRP	文件：101.93 Kbytes Page：8 Pages	General Purpose Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
2N3906RLRP	文件：81.91 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors PNP Silicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
2N3906RLRP	文件：179.42 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
2N3906RLRPG	文件：81.91 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors PNP Silicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
2N3906RLRPG	文件：179.42 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
2N3906RLRPG	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）封裝/外殼：TO-226-3，TO-92-3 長基體（成形引線）類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個描述：TRANS PNP 40V 0.2A TO92	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
2N3906S	文件：63.41 Kbytes Page：1 Pages	SOT-23PACKAGE	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
2N3906S	文件：57.13 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
2N3906S	文件：195.69 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES ?LowLeakageCurrent :ICEX=-50nA(Max.),IBL=-50nA(Max.) @VCE=-30V,VEB=-3V. ?ExcellentDCCurrentGainLinearity. ?LowSaturationVoltage :VCE(sat)=-0.4V(Max.)@IC=-50mA,IB=-5mA. ?LowCollectorOutputCapacita	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
2N3906S	文件：296.08 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2N3906S	文件：205.24 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistors	FS First Silicon Co., Ltd	FS
2N3906S-AB	文件：473.89 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistorsPNPSilicon 1.FEATURES ?SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage ?HighDCCurrentGain,LowCollectortoEmitterSaturationVoltage, QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability,HFProduct. ?Generalpurposeamplifierandswitching,Meetthestringentrequirementsofautomotiveappli	FS First Silicon Co., Ltd	FS
2N3906S-AL	文件：474.61 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistorsPNPSilicon 1.FEATURES ●Wedeclarethatthematerialofproductcompliancewith RoHSrequirementsandHalogenFree. ●S-prefixforautomotiveandotherapplicationsrequiring uniquesiteandcontrolchangerequirements;AEC-Q101 qualifiedandPPAPcapable.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
2N3906SC	文件：707.9 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES ?LowLeakageCurrent :ICEX=-50nA(Max.),IBL=-50nA(Max.) @VCE=-30V,VEB=-3V. ?ExcellentDCCurrentGainLinearity. ?LowSaturationVoltage :VCE(sat)=-0.4V(Max.)@IC=-50mA,IB=-5mA. ?Complementaryto2N3904SC.	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
2N3906TA	文件：654.29 Kbytes Page：10 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedforgeneral-purposeamplifierandswitchingapplicationsatcollectorcurrentsof10mAto100mA.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
2N3906TA	文件：154.16 Kbytes Page：6 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedforgeneral-purposeamplifierandswitchingapplicationsatcollectorcurrentsof10mAto100mA.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
2N3906TAR	文件：654.29 Kbytes Page：10 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedforgeneral-purposeamplifierandswitchingapplicationsatcollectorcurrentsof10mAto100mA.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
2N3906TF	文件：654.29 Kbytes Page：10 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedforgeneral-purposeamplifierandswitchingapplicationsatcollectorcurrentsof10mAto100mA.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
2N3906TFR	文件：654.29 Kbytes Page：10 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedforgeneral-purposeamplifierandswitchingapplicationsatcollectorcurrentsof10mAto100mA.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
2N3906U	文件：795.52 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistorsPNPSilicon	FS First Silicon Co., Ltd	FS

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詳細參數(shù)

型號：
2N3906RLRP
功能描述：
兩極晶體管 - BJT 200mA 40V PNP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
PNP 集電極—基極電壓
VCBO：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
VEBO：
- 6 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：
直流集電極/Base Gain hfe
Min：
100 A
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多2N3906RLRP供應(yīng)商更新時間2024-12-23 17:24:00

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