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2N3960分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料

2N3960
廠商型號(hào)

2N3960

參數(shù)屬性

2N3960 封裝/外殼為T(mén)O-206AA,TO-18-3 金屬罐;包裝為散裝;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 12V TO18

功能描述

NPN SILICON ANNULAR TRANSISTORS

文件大小

205.54 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱(chēng)

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2024-12-29 19:18:00

晶體管資料

  • 型號(hào):

    2N3960

  • 別名:

    2N3960三極管、2N3960晶體管、2N3960晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    高速開(kāi)關(guān) (SS)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    20V

  • 最大電流允許值:

    0.03A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

    3DG82B,

  • 最大耗散功率:

    0.4W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    D-8

  • vtest:

    20

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.03

  • wtest:

    0.4

2N3960規(guī)格書(shū)詳情

NPN silicon annular transistors particularly well suited for high-speed current-mode logic switching applications.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2N3960

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類(lèi)型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 3mA,30mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    10μA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 10mA,1V

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-206AA,TO-18-3 金屬罐

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-18(TO-206AA)

  • 描述:

    TRANS NPN 12V TO18

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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