2N3960分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料
廠商型號(hào) |
2N3960 |
參數(shù)屬性 | 2N3960 封裝/外殼為T(mén)O-206AA,TO-18-3 金屬罐;包裝為散裝;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 12V TO18 |
功能描述 | NPN SILICON ANNULAR TRANSISTORS |
文件大小 |
205.54 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
2 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
NJSEMI【新澤西半導(dǎo)體】 |
中文名稱(chēng) | 新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2024-12-29 19:18:00 |
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- 型號(hào):
- 別名:
2N3960三極管、2N3960晶體管、2N3960晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性質(zhì):
高速開(kāi)關(guān) (SS)
- 封裝形式:
直插封裝
- 極限工作電壓:
20V
- 最大電流允許值:
0.03A
- 最大工作頻率:
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù):
3
- 可代換的型號(hào):
3DG82B,
- 最大耗散功率:
0.4W
- 放大倍數(shù):
- 圖片代號(hào):
D-8
- vtest:
20
- htest:
999900
- atest:
0.03
- wtest:
0.4
2N3960規(guī)格書(shū)詳情
NPN silicon annular transistors particularly well suited for high-speed current-mode logic switching applications.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
2N3960
- 制造商:
Microsemi Corporation
- 類(lèi)別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)
- 包裝:
散裝
- 晶體管類(lèi)型:
NPN
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
300mV @ 3mA,30mA
- 電流 - 集電極截止(最大值):
10μA(ICBO)
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
60 @ 10mA,1V
- 工作溫度:
-65°C ~ 200°C(TJ)
- 安裝類(lèi)型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-206AA,TO-18-3 金屬罐
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-18(TO-206AA)
- 描述:
TRANS NPN 12V TO18
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
1738+ |
TO-92 |
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