2N3997分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
2N3997 |
| 參數(shù)屬性 | 2N3997 封裝/外殼為TO-111-4，接線柱；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：POWER BJT |
| 功能描述 | NPN POWER SWITCHING SILICON TRANSISTOR |
| 封裝外殼 | TO-111-4，接線柱 |
| 文件大小 |
65.65 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
2 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Microsemi Corporation |
| 企業(yè)簡稱 |
Microsemi【美高森美】 |
| 中文名稱 | 美高森美公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-10 18:32:00 |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
2N3997三極管、2N3997晶體管、2N3997晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
開關(guān)管 （S）_功率放大 （L）
- 封裝形式：
特殊封裝
- 極限工作電壓：
100V
- 最大電流允許值：
5A
- 最大工作頻率：
>40MHZ
- 引腳數(shù)：
4
- 可代換的型號：
BLX19,2N1724,,2N5002,2N5004,2N5284,2N5285,3DK204B,
- 最大耗散功率：
30W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
F-3
- vtest：
100
- htest：
40000100
- atest：
5
- wtest：
30
2N3997規(guī)格書詳情
NPN POWER SWITCHING SILICON TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/374
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
2N3997
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 系列：
Military, MIL-PRF-19500/374
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
NPN
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
2V @ 500mA，5A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
10μA
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 1A，2V
- 工作溫度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安裝類型：
接線柱安裝
- 封裝/外殼：
TO-111-4，接線柱
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-111
- 描述：
POWER BJT
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
1738+ |
TO-92 |
8529 |
科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十! |
詢價 | ||
2N3997 |
1 |
1 |
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ST |
23+ |
CAN to-39 |
16900 |
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MICROSEMI/美高森美 |
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MODULE |
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ST |
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