2N4174中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào)	2N4174
功能描述	SCR, V(DRM) == 600V TO 699.9V
文件大小	131.02 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量	1 頁(yè)
生產(chǎn)廠商	New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡(jiǎn)稱	NJSEMI【新澤西半導(dǎo)體】
中文名稱	新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)	下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間	2025-1-26 11:06:00

Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Trlode Thyristors

and military applications. Offered In a choice of space-saving, economical packages for mounting versatility.

? Uniform Low-Level Noise-Immune Gate Triggering — IGT = 10 mA (Typ) @ TC = 25°C

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