| 零件編號 | 下載&訂購 | 功能描述 | 制造商&上傳企業(yè) | LOGO |
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2N4232A | POWER TRANSISTORS(5A,75W) COMPLEMENTARYSILICONMEDIUM-POWERTRANSISTORS ..designedforgeneral-purposepoweramplifierandswitchingapplications. FEATURES: *LowCollector-EmitterSaturationVoltageVCE(sat)=0.7V(Max.)@lc=1.5A *ExcellentDCCurrentGainhFE=25-100@lc=1.5A *LowLeakageCurrent-lcex=0. | MOSPECMospec Semiconductor 統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司 | MOSPEC | |
2N4232A | COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARYSILICONMEDIUM-POWERTRANSISTORS ..designedforgeneral-purposepoweramplifierandswitchingapplications. FEATURES: *LowCollector-EmitterSaturationVoltageVCE(sat)=0.7V(Max.)@lc=1.5A *ExcellentDCCurrentGainhFE=25-100@lc=1.5A *LowLeakageCurrent-lcex=0. | bocaBoca Semiconductor Corporation 博卡博卡半導(dǎo)體公司 | boca | |
2N4232A | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 BipolarNPNDeviceinaHermeticallysealedTO66MetalPackage. BipolarNPNDevice. VCEO=60V IC=5A | SEME-LAB Seme LAB | SEME-LAB | |
2N4232A | Power Transistors PowerTransistorsTO-66Case | CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導(dǎo)體 | Central | |
2N4232A | COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARYSILICONMEDIUM-POWERTRANSISTORS ..designedforgeneral-purposepoweramplifierandswitchingapplications. FEATURES: *LowCollector-EmitterSaturationVoltageVCE(sat)=0.7V(Max.)@lc=1.5A *ExcellentDCCurrentGainhFE=25-100@lc=1.5A *LowLeakageCurrent-lcex= | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | |
2N4232A | COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARYSILICONMEDIUM-POWERTRANSISTORS ..designedforgeneral-purposepoweramplifierandswitchingapplications. FEATURES: *LowCollector-EmitterSaturationVoltageVCE(sat)=0.7V(Max.)@lc=1.5A *ExcellentDCCurrentGainhFE=25-100@lc=1.5A *LowLeakageCurrent-lcex= | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | |
2N4232A | isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ?ExcellentSafeOperatingArea ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation. APPLICATIONS ?Designedforgeneral-purposepoweramplifierandswitchingapplications | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | |
2N4232A | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS | CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導(dǎo)體 | Central | |
2N4232A | 包裝：散裝 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：PNP TRANSISTOR | MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司 | Microchip | |
PowerTransistors PowerTransistors | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商 | ETC | ||
PowerTransistors PowerTransistorsTO-66Case | CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導(dǎo)體 | Central | ||
BipolarNPNDeviceinaHermeticallysealedTO66MetalPackage | SEME-LAB Seme LAB | SEME-LAB | ||
BipolarNPNDeviceinaHermeticallysealedTO66MetalPackage | SEME-LAB Seme LAB | SEME-LAB |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
50V
- 最大電流允許值：
5A
- 最大工作頻率：
>4MHZ
- 引腳數(shù)：
2
- 可代換的型號：
BD243A,BD539B,BD951,2N3054,3DD67C,
- 最大耗散功率：
75W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
E-44
- vtest：
50
- htest：
4000100
- atest：
5
- wtest：
75
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
2N4232A
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
散裝
- 描述：
PNP TRANSISTOR
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ASI |
23+ |
TO-02 |
66800 |
原廠授權(quán)一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力！ |
詢價 | ||
24+ |
TO-66 |
10000 |
全新 |
詢價 | |||
BOCA |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢價 | ||
ASI |
18 |
TO-02 |
200 |
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)QQ3171516190 |
詢價 | ||
Microsemi |
1942+ |
N/A |
908 |
加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗一站式購物 |
詢價 | ||
MICROSEMI |
1809+ |
SMD |
96 |
就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件! |
詢價 | ||
TI |
BGA |
6850 |
萊克訊每片來自原廠原盒原包裝假一罰十價優(yōu) |
詢價 | |||
24+ |
長期備有現(xiàn)貨 |
500000 |
行業(yè)低價,代理渠道 |
詢價 | |||
Microchip |
2022+ |
原廠原包裝 |
8600 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價 | ||
MICROCHIP |
23+ |
7300 |
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價 |
