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2N4233A分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

2N4233A
廠商型號

2N4233A

參數(shù)屬性

2N4233A 包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:PNP TRANSISTOR

功能描述

MEDIUM-POWER SILICON TRANSISTOR

文件大小

264.89 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-16 8:00:00

晶體管資料

  • 型號:

    2N4233A

  • 別名:

    2N4233A三極管、2N4233A晶體管、2N4233A晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    90V

  • 最大電流允許值:

    5A

  • 最大工作頻率:

    >4MHZ

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號:

    BD243B,BD539C,BD953,2N3054,3DD67D,

  • 最大耗散功率:

    75W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    E-44

  • vtest:

    90

  • htest:

    4000100

  • atest:

    5

  • wtest:

    75

2N4233A規(guī)格書詳情

COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS

..designed for general-purpose power amplifier and switching applications.

FEATURES:

* Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat)= 0.7 V (Max.) @ lc = 1.5A

* Excellent DCCurrent Gain hFE = 25-100 @ lc = 1.5 A

* LowLeakage Current- lcex =0.1 mA(Max)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2N4233A

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 描述:

    PNP TRANSISTOR

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