2N4233A分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
2N4233A |
參數(shù)屬性 | 2N4233A 包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:PNP TRANSISTOR |
功能描述 | COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS |
文件大小 |
95.36 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
2 頁 |
生產(chǎn)廠商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
企業(yè)簡稱 |
NJSEMI【新澤西半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng) |
原廠標識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-3-25 9:12:00 |
人工找貨 | 2N4233A價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
晶體管資料
- 型號:
- 別名:
2N4233A三極管、2N4233A晶體管、2N4233A晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性質(zhì):
低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L
- 封裝形式:
直插封裝
- 極限工作電壓:
90V
- 最大電流允許值:
5A
- 最大工作頻率:
>4MHZ
- 引腳數(shù):
2
- 可代換的型號:
BD243B,BD539C,BD953,2N3054,3DD67D,
- 最大耗散功率:
75W
- 放大倍數(shù):
- 圖片代號:
E-44
- vtest:
90
- htest:
4000100
- atest:
5
- wtest:
75
2N4233A規(guī)格書詳情
COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS
..designed for general-purpose power amplifier and switching applications.
FEATURES:
* Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat)= 0.7 V (Max.) @ lc = 1.5A
* Excellent DCCurrent Gain hFE = 25-100 @ lc = 1.5 A
* LowLeakage Current- lcex =0.1 mA(Max)
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
2N4233A
- 制造商:
Microchip Technology
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個
- 包裝:
散裝
- 描述:
PNP TRANSISTOR
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
MOT |
23+ |
原廠封裝 |
9980 |
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N/A |
1987 |
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原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu) |
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N/A |
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CAN3 |
6540 |
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MOT |
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CAN3 |
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原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
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