2N426分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
2N426 |
| 參數(shù)屬性 | 2N426 封裝/外殼為3-SMD，無引線；包裝為散裝；類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產品描述：TRANS PNP 15V 0.03A UB |
| 功能描述 | GE PNP LO-PWR BJT |
| 文件大小 |
80.27 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
1 頁 |
| 生產廠商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
| 企業(yè)簡稱 |
NJSEMI【新澤西半導體】 |
| 中文名稱 | 新澤西半導體產品股份有限公司官網 |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據手冊 | |
| 更新時間 | 2024-12-25 15:09:00 |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
2N426三極管、2N426晶體管、2N426晶體三極管
- 生產廠家：
- 制作材料：
Ge-PNP
- 性質：
低頻或音頻放大 （LF）_開關管 （S）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
30V
- 最大電流允許值：
0.4A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
ASY26,ASY27,ASY76,ASY77,2N1303,3AX55B,
- 最大耗散功率：
0.15W
- 放大倍數(shù)：
β>30
- 圖片代號：
D-9
- vtest：
30
- htest：
999900
- atest：
0.4
- wtest：
0.15
2N426規(guī)格書詳情
Description: Ge PNP Lo-Pwr BJT
產品屬性
- 產品編號：
2N4261UB
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
PNP
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
350mV @ 1mA，10mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
10μA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 10mA，1V
- 工作溫度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
3-SMD，無引線
- 供應商器件封裝：
UB
- 描述：
TRANS PNP 15V 0.03A UB
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MOT |
2339+ |
CAN3 |
4326 |
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MOT |
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全新原裝現(xiàn)貨 |
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23+ |
TO-92 |
104 |
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
CENTRAL |
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