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2N4403RLRM	文件：106.24 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors PNPsiliconplanarepitaxialtransistor Collector?EmitterVoltageVCEO40Vdc Collector?BaseVoltageVCBO40Vdc Emitter?BaseVoltageVEBO5.0Vdc CollectorCurrent?ContinuousIC600mAdc	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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2N4403RLRM	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-226-3，TO-92-3 長基體（成形引線）類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個描述：TRANS PNP 40V 0.6A TO92	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
2N4403RLRMG	文件：118.38 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors PNP Silicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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2N4403SC	文件：353.79 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES ?Complementarytothe2N4401SC	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
2N4403T/B	文件：197.49 Kbytes Page：4 Pages	PNPGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VOLTAGE40VPOWER625mW FEATURES PNPepitaxialsilicon,planardesign Collector-emittervoltageVCE=-40V CollectorcurrentIC=-600mA Complimentary(NPN)device:2N4401 MECHANICALDATA Case:TO-92 Terminals:SolderableperMIL-STD-202,Method208 ApproxWeight:0.02	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
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2N4403TA	文件：74.69 Kbytes Page：7 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedforuseasageneral-purposeamplifierandswitchforcollectorcurrentsto500mA.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
2N4403TFR	文件：71.81 Kbytes Page：7 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedforuseasageneral-purposeamplifierandswitchforcollectorcurrentsto500mA.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
G2N4403	文件：113.71 Kbytes Page：2 Pages	TheG2N4403isdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications.	ETLE-Tech Electronics LTD 亞歷電子亞歷電子有限公司	ETL
G2N4403	文件：112.07 Kbytes Page：2 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
H2N4403	文件：40.17 Kbytes Page：4 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheH2N4403isdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications. Features ?ComplementarytoH2N4401 ?HighPowerDissipation:625mWat25°C ?HighDCCurrentGain:100-300at150mA ?HighBreakdownVoltage:40VMin.	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
ST2N4403	文件：120.45 Kbytes Page：5 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor PNPEpitaxialSiliconTransistor Generalpurposetransistor CollectorEmitterVoltage:VCEO=40V CollectorDissipation:PC(max)=625mW Onspecialrequest,thesetransistorscanbe manufacturedindifferentpinconfigurations.	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
ST2N4403	文件：329.33 Kbytes Page：5 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor PNPEpitaxialSiliconTransistor Generalpurposetransistor CollectorEmitterVoltage:VCEO=40V CollectorDissipation:PC(max)=625mW Onspecialrequest,thesetransistorscanbe manufacturedindifferentpinconfigurations.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司	SEMTECH_ELEC

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
2N4403RLRM
制造商：
onsemi
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
包裝：
管件
晶體管類型：
PNP
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
750mV @ 50mA，500mA
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，2V
頻率 - 躍遷：
200MHz
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-226-3，TO-92-3 長基體（成形引線）
供應(yīng)商器件封裝：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS PNP 40V 0.6A TO92

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多2N4403RLRM供應(yīng)商更新時間2024-11-15 15:00:00

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