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2N4909分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

2N4909
廠商型號(hào)

2N4909
參數(shù)屬性

2N4909 封裝/外殼為TO-204AA，TO-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：POWER BJT
功能描述

Silicon PNP Power Transistors
封裝外殼

TO-204AA，TO-3
文件大小

130.32 Kbytes
頁面數(shù)量

2 頁
生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI【新澤西半導(dǎo)體】

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-6 8:24:00

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    2N4909

  • 別名：

    2N4909三極管、2N4909晶體管、2N4909晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-PNP

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    80V

  • 最大電流允許值：

    10A

  • 最大工作頻率：

    4MHZ

  • 引腳數(shù)：

    2

  • 可代換的型號(hào)：

    BD250B,BD314,BD546B,BDW22B,BDX18,2N3792,2N5876,2N6247,3CD15C,

  • 最大耗散功率：

    150W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    E-44

  • vtest：

    80

  • htest：

    4000000

  • atest：

    10

  • wtest：

    150

2N4909規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

? Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= -0.75V(Max.)@ IC= -4A

? DC Current Gain- : hFE= 20-80 @IC= -4A

APPLICATIONS

? Designed for general purpose use in power amplifier and switching circuits.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    2N4909

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 200°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-204AA，TO-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-204AD（TO-3）

  • 描述：

    POWER BJT

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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