2N493分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
2N493 |
| 參數(shù)屬性 | 2N493 封裝/外殼為3-SMD，無引線；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：POWER BJT |
| 功能描述 | Diode |
| 封裝外殼 | 3-SMD，無引線 |
| 文件大小 |
144.32 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
1 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
| 企業(yè)簡稱 |
NJSEMI【新澤西半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-24 23:21:00 |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
2N493三極管、2N493晶體管、2N493晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性質(zhì)：
通用型 （Uni）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
200V
- 最大電流允許值：
0.5A
- 最大工作頻率：
>20MHZ
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
BFT19,BFT44,BFT45,2N3634,2N3635,2N5415,2N5416,2SB606,3CA1F,
- 最大耗散功率：
1W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
C-62
- vtest：
200
- htest：
20000100
- atest：
0.5
- wtest：
1
2N493規(guī)格書詳情
UNIJUNCTION TRANSISTORS
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
2N4930U4
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 系列：
Military, MIL-PRF-19500/397
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
PNP
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
1.2V @ 3mA，30mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
250nA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 30mA，10V
- 工作溫度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
3-SMD，無引線
- 供應(yīng)商器件封裝：
U4
- 描述：
POWER BJT
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
BB |
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