2N4957分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
2N4957 |
| 參數(shù)屬性 | 2N4957 封裝/外殼為TO-72-3 金屬罐；包裝為帶；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS PNP 30V 30MA TO72 |
| 功能描述 | PNP SILICON ANNULAR SMALL-SIGNAL |
| 文件大小 |
156.71 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
1 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
| 企業(yè)簡稱 |
NJSEMI【新澤西半導體】 |
| 中文名稱 | 新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2024-12-28 10:18:00 |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
2N4957三極管、2N4957晶體管、2N4957晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性質(zhì)：
超高頻/特高頻 （UHF）_低噪放大 （ra）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
30V
- 最大電流允許值：
0.03A
- 最大工作頻率：
1.5GHZ
- 引腳數(shù)：
4
- 可代換的型號：
BF272,BF316,BF372,BF439,BF516,BF606,BFR38,BFR99,3CG114B,
- 最大耗散功率：
0.2W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
D-13
- vtest：
30
- htest：
1500000000
- atest：
0.03
- wtest：
0.2
2N4957規(guī)格書詳情
PNP silicon annular small-signal RF transistor designed for high-gain, low-noise amplifier, oscillator, and mixer applications.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
2N4957
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
帶
- 晶體管類型：
PNP
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
30V
- 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：
3.5dB @ 450MHz
- 增益：
25dB
- 功率 - 最大值：
200mW
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 5mA，10V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
30mA
- 工作溫度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-72-3 金屬罐
- 供應商器件封裝：
TO-72
- 描述：
RF TRANS PNP 30V 30MA TO72
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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