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2N4959分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

2N4959
廠商型號(hào)

2N4959

參數(shù)屬性

2N4959 包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:SMALL-SIGNAL BJT

功能描述

PNP SILICON ANNULAR SMALL-SIGNAL

文件大小

156.71 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

1 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-18 22:30:00

晶體管資料

  • 型號(hào):

    2N4959

  • 別名:

    2N4959三極管、2N4959晶體管、2N4959晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性質(zhì):

    超高頻/特高頻 (UHF)_低噪放大 (ra)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    30V

  • 最大電流允許值:

    0.03A

  • 最大工作頻率:

    1.5GHZ

  • 引腳數(shù):

    4

  • 可代換的型號(hào):

    BF272,BF316,BF372,BF439,BF516,BF606,BFR38,BFR99,3CG114B,

  • 最大耗散功率:

    0.2W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    D-13

  • vtest:

    30

  • htest:

    1500000000

  • atest:

    0.03

  • wtest:

    0.2

2N4959規(guī)格書詳情

PNP silicon annular small-signal RF transistor designed for high-gain, low-noise amplifier, oscillator, and mixer applications.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2N4959

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 描述:

    SMALL-SIGNAL BJT

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