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2N5011

NPN TO-39/TO-5

NPNTO-39/TO-5 Case801 I(MAX)=0.05to10A VCEO(sus)=40?800V fT=1to50MHz

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

2N5011

SI NPN POWER BJT

NPNTO-39/TO-5 Case801 I(MAX)=0.05to10A VCEO(sus)=40?800V fT=1to50MHz

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

2N5011

NPN SILICON TRANSISTOR

NPNSILICONTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/727

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N5011

NPN SILICON TRANSISTOR

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N5011

Bipolar NPN Device

SEME-LAB

Seme LAB

2N5011

包裝:散裝 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè) 描述:NPN SILICON TRANSISTOR

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N5011S

NPN SILICON TRANSISTOR

NPNSILICONTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/727

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N5011S

NPN SILICON TRANSISTOR

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N5011S

包裝:散裝 封裝/外殼:TO-205AD,TO-39-3 金屬罐 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè) 描述:POWER BJT

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

2N5011U4

包裝:散裝 封裝/外殼:3-SMD,無引線 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè) 描述:POWER BJT

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

晶體管資料

  • 型號(hào):

    2N5011

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    開關(guān)管 (S)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    600V

  • 最大電流允許值:

    0.5A

  • 最大工作頻率:

    15MHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

    BUX65,BUY60,BUY62,2N5097,2N5098,2N5099,2SC1762,2SD594,3DK304E,

  • 最大耗散功率:

    4W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    C-62

  • vtest:

    600

  • htest:

    15000000

  • atest:

    0.5

  • wtest:

    4

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2N5011

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 描述:

    NPN SILICON TRANSISTOR

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更多2N5011供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-14 16:30:00