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2N5013S分立半導體產品晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

2N5013S
廠商型號

2N5013S
參數屬性

2N5013S 封裝/外殼為TO-205AD，TO-39-3 金屬罐；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個；產品描述：TRANS NPN 800V 0.2A TO39
功能描述

NPN SILICON TRANSISTOR
TRANS NPN 800V 0.2A TO39
文件大小

60.57 Kbytes
頁面數量

4 頁
生產廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡稱

Microsemi【美高森美】

中文名稱

美高森美公司官網
原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2024-11-15 13:30:00

2N5013S規(guī)格書詳情

2N5013S屬于分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個。美高森美公司制造生產的2N5013S晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一，對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言，它們仍然是首選技術。

產品屬性

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  • 產品編號：

    2N5013S

  • 制造商：

    Microsemi Corporation

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 系列：

    Military, MIL-PRF-19500/727

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    1.6V @ 5mA，20mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    10nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    30 @ 20mA，10V

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 200°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-205AD，TO-39-3 金屬罐

  • 供應商器件封裝：

    TO-39（TO-205AD）

  • 描述：

    TRANS NPN 800V 0.2A TO39

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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