2N5109分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
2N5109 |
參數(shù)屬性 | 2N5109 封裝/外殼為TO-205AD,TO-39-3 金屬罐;包裝為散裝;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO39 |
功能描述 | RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
封裝外殼 | TO-205AD,TO-39-3 金屬罐 |
文件大小 |
281.25 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
5 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Microsemi Corporation |
企業(yè)簡稱 |
Microsemi【美高森美】 |
中文名稱 | 美高森美公司官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-19 17:06:00 |
晶體管資料
- 型號:
- 別名:
2N5109三極管、2N5109晶體管、2N5109晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性質(zhì):
甚高頻 (VHF)_超高頻/特高頻 (UHF)_寬頻帶放大
- 封裝形式:
直插封裝
- 極限工作電壓:
40V
- 最大電流允許值:
0.4A
- 最大工作頻率:
>1.2GHZ
- 引腳數(shù):
3
- 可代換的型號:
BFX50,BLX65.MRF515,MRF629,2N3948,2N5913,3DA39,
- 最大耗散功率:
- 放大倍數(shù):
- 圖片代號:
C-62
- vtest:
40
- htest:
1200100000
- atest:
0.4
- wtest:
0
2N5109規(guī)格書詳情
2N5109屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由美高森美公司制造生產(chǎn)的2N5109晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件,用于在涉及射頻的設備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設計為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。
DESCRIPTION:
Silicon NPN transistor, designed for VHF and UHF equipment. Applications include amplifier; pre-driver, driver, and output stages. Also suitable for oscillator and frequency-multiplier functions.
Features
· Silicon NPN, To-39 packaged VHF/UHF Transistor
· 1.2 GHz Current-Gain Bandwidth Product @ 50mA
· Maximum Unilateral Gain = 12dB (typ) @ 200 MHz
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
2N5109
- 制造商:
Microsemi Corporation
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
- 包裝:
散裝
- 晶體管類型:
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
20V
- 頻率 - 躍遷:
1.2GHz
- 增益:
12dB
- 功率 - 最大值:
2.5W
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
40 @ 50mA,15V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
400mA
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-205AD,TO-39-3 金屬罐
- 供應商器件封裝:
TO-39
- 描述:
RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO39
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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