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2N5109分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

2N5109
廠商型號(hào)

2N5109

參數(shù)屬性

2N5109 封裝/外殼為TO-205AD,TO-39-3 金屬罐;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO39

功能描述

silicon transistors UHF/VHF power transistors

文件大小

245.31 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

3 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 List of Unclassifed Manufacturers
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ETC1etc未分類制造商

中文名稱

未分類制造商

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-4 13:39:00

晶體管資料

  • 型號(hào):

    2N5109

  • 別名:

    2N5109三極管、2N5109晶體管、2N5109晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    甚高頻 (VHF)_超高頻/特高頻 (UHF)_寬頻帶放大

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    40V

  • 最大電流允許值:

    0.4A

  • 最大工作頻率:

    >1.2GHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

    BFX50,BLX65.MRF515,MRF629,2N3948,2N5913,3DA39,

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    C-62

  • vtest:

    40

  • htest:

    1200100000

  • atest:

    0.4

  • wtest:

    0

2N5109規(guī)格書詳情

silicon transistors UHF/VHF power transistors

NPN type

germanium transistors

diffused-base MESA transistors

ultra-high-speed switching

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2N5109

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    20V

  • 頻率 - 躍遷:

    1.2GHz

  • 增益:

    12dB

  • 功率 - 最大值:

    2.5W

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 50mA,15V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    400mA

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-205AD,TO-39-3 金屬罐

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-39

  • 描述:

    RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO39

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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ROHS+Original
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專業(yè)電子元器件供應(yīng)鏈/QQ 350053121 /正納電子
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